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西安智盈电气科技有限公司

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首页 > 供应产品 > IPM 参数测试系统
IPM 参数测试系统
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产品: 浏览次数:8IPM 参数测试系统 
品牌: 西安智盈科技
型号: ZY-200
测量范围: 30~2000A
电网电压: 100V~1200V
单价: 100000.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 60 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-05-11 16:46
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详细信息

IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件, 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。  该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统,选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源,检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性,并对器件的故障信息给予判断处理。

测试功能                       

测试范围

测试参数

IPM

BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

ID, VEC,

Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES BVCES IGES VF VGEON

VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp,Temp, VF revision

参数指标

静态参数

上桥参数

动态参数

上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V

上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

集电极电流/Ice1075A/±3%/1A

上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

上桥驱动IC高端静态工作电流测试(Iqbs-U V W

VIN=05V/±3%/0.1V

上桥欠压保护监测电平(UVbsd-U V W

ton-L : 10500nS/±3%/1nS

上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W

tcon-L :5200nS/±3%/1nS

上桥驱动IC导通阈值电压测试(Vthon-UH VH WH

toff-L: 50500nS/±3%/1nS

上桥驱动IC关断阈值电压测试(Vthoff-UH VH WH

tc(off)-L: 5200nS/±3%/1nS

上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH

Trr-L :10500nS/±3%/1nS

上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eon-L :0.110mJ/±3%/0.1mJ

 

Eoff-L0.110mJ/±3%/0.1mJ

下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L

下桥参数

集电极电压/Vce:1001200V/±3%/10V

下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)

集电极电流/Ice:1075A/±3%/1A

故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))

VIN=05V/±3%/0.1V

下桥欠压保护监测电平(UVdd)VD=VBS=15V

on-L : 10500nS/±3%/1nS

下桥欠压保护复位电平(UVdr)

tcon-L :5200nS/±3%/1nS

下桥驱动IC导通阈值电压(Vth(on)-UL VL WL)

toff-L: 50500nS/±3%/1nS

下桥驱动IC关断阈值电压(Vth(off)-UL VL WL)

tc(off)-L: 5200nS/±3%/1nS

下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10500nS/±3%/1nS

下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.110mJ/±3%/0.1mJ

 

Eoff-L0.110mJ/±3%/0.1mJ


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